Gun HS
Teknologi FeTRAM memenuhi tiga fungsi dasar dari memori komputer: untuk
menulis informasi, membaca informasi dan tahan dalam jangka waktu yang
panjang.
Para peneliti tengah mengembangkan sebuah jenis baru memori komputer
yang bisa lebih cepat daripada memori komersial yang ada saat ini dan
penggunaan listrik yang jauh lebih sedikit dari perangkat memori flash.
Teknologi ini mengkombinasikan kawat nano silikon dengan polimer
“feroelektrik”, bahan yang mengaktifkan polaritas ketika medan listrik
dialirkan, memungkinkan tipe baru dari transistor feroelektrik.
“Ini dalam tahap yang masih sangat baru,” kata mahasiswa doktoral
Saptarshi Das, yang bekerja sama dengan Joerg Appenzeller, seorang
profesor teknik elektro dan komputer dan direktur ilmiah nanoelektrik di
Pusat Nanoteknologi Purdue Birck.
Transistor feroelektrik yang mengubah polaritas dibaca sebagai 0 atau 1,
operasi yang diperlukan bagi sirkuit digital untuk menyimpan informasi
dalam kode biner yang terdiri dari urutan satu dan nol. Teknologi baru
ini disebut FeTRAM, untuk memori transistor feroelektrik akses acak.
“Kami telah mengembangkan teori serta melakukan eksperimen dan juga
menunjukkan cara kerjanya dalam sebuah sirkuit,” katanya. Temuan yang
rinci dalam makalah penelitian ini muncul dalam Nano Letters,
dipublikasikan oleh American Chemical Society.
Teknologi FeTRAM memiliki penyimpanan non-volatile, artinya ini tetap
berada di dalam memori meski komputer sudah dimatikan. Perangkatnya bisa
berpotensi menggunakan energi 99 persen lebih rendah dari memori flash,
chip penyimpanan komputer non-volatile dan bentuk dominan memori di
pasar komersial.
“Namun, perangkat kami sekarang ini masih mengkonsumsi daya lebih banyak
karena skalanya masih kurang tepat,” kata Das. “Untuk teknologi FeTRAM
generasi masa depan, salah satu tujuan utamanya adalah mengurangi
disipasi daya listrknya. Mungkin juga akan jauh lebih cepat daripada
bentuk lain memori komputer yang disebut SRAM.”
Teknologi FeTRAM memenuhi tiga fungsi dasar dari memori komputer: untuk
menulis informasi, membaca informasi dan tahan dalam jangka waktu yang
panjang.
“Anda ingin menyimpan memori selama mungkin, 10 hingga 20 tahun, dan
Anda harus mampu membaca dan menulis sebanyak mungkin,” kata Das. “Ini
juga harus berdaya listrik rendah agar laptop Anda tidak menjadi terlalu
panas. Dan ini perlu diskala, artinya Anda bisa mengemas banyak
perangkat ke area yang sangat kecil. Penggunaan kawat nano silikon
bersama dengan polimer feroelektrik ini telah termotivasi oleh
persyaratan-persyaratan tersebut.”
Teknologi baru ini juga kompatibel dengan proses industri manufaktur
untuk semikonduktor oksida logam komplementer, atau CMOS, yang digunakan
untuk memproduksi chip komputer. Ini memiliki potensi untuk
menggantikan sistem memori konvensional.
Sebuah aplikasi paten telah diajukan untuk konsepnya.
FeTRAM mirip dengan memori akses acak feroelektrik, FeRAM, yang sedang
digunakan secara komersial namun pasar semikonduktornya masih relatif
kecil secara keseluruhan. Keduanya menggunakan bahan feroelektrik untuk
menyimpan informasi secara non-volatile, namun tidak seperti FeRAM,
teknologi baru ini memungkinkan pembacaan yang tidak destruktif, artinya
informasi dapat dibaca tanpa menghilangkannya
Pembacaan non-destruktif ini dimungkinkan dengan menyimpan informasi
menggunakan transistor feroelektrik, bukan kapasitor, yang digunakan
dalam FeRAM konvensional.
Pekerjaan ini didukung oleh Research Initiative Nanoteknologi (NRI)
melalui Network for Computational Nanotechnology (NCN) Purdue, yang
didukung oleh National Science Foundation.
Gambar :
-
Diagram ini menunjukkan tata letak jenis baru memori komputer yang bisa
lebih cepat daripada memori komersial yang ada saat dan penggunaan daya
listrik yang jauh lebih sedikit dari perangkat memori flash. (Kredit:
Pusat Nanoteknologi Birck, Universitas Purdue)
Kredit: Purdue University
Jurnal: Saptarshi Das, Joerg Appenzeller. FETRAM. An Organic Ferroelectric Material Based Novel Random Access Memory Cell. Nano Letters, 2011; 11 (9): 4003 DOI: 10.1021/nl2023993
Jurnal: Saptarshi Das, Joerg Appenzeller. FETRAM. An Organic Ferroelectric Material Based Novel Random Access Memory Cell. Nano Letters, 2011; 11 (9): 4003 DOI: 10.1021/nl2023993
Thanks for reading: FeTRAM: Teknologi Memori Komputer yang Menjanjikan
0 komentar